Co2FeSiスピン注入源を用いた巨大純スピン流の室温生成
Room-temperature generation of giant pure spin currents using epitaxial Co2FeSi spin injectors.
2012年3月9日 NPG Asia Materials 4, e3 (2012) doi:10.1038/am.2012.16
スピントロニクス：スピン流の生成
九州大学の木村崇教授および浜屋宏平准教授の研究チームはこのたび、巨大な純スピン流を室温で効率よく生成することに成功した。電子の電荷とスピンの両方を利用するスピントロニクスデバイスは、従来の電荷利用型エレクトロニクスデバイスと比較して、高速化と消費電力の低減が期待できる。中でも電荷流を伴わない純スピン流は、スピントロニクスデバイスにおける有望な情報書き込み手段として期待されている。しかしながら、純スピン流の生成効率が極めて小さいため、実用化は困難とされていた。研究チームは今回、高い規則度を持つコバルト-鉄-シリコンで構成されるCo2FeSiホイスラー合金をスピン生成源として用いることによって、純スピン流の生成効率を著しく向上させることに成功した。この研究結果は、ホイスラー合金がスピン生成源として高い性能を有することを示すものであると共に、純スピン流を用いたより機能性の高いスピントロニクスデバイスの実現を一歩前進させるものと言える。
Spintronics: Current generation
Takashi Kimura, Kohei Hamaya and co-workers have generated large pure spin currents at room temperature, with high efficiency. Spintronic devices, which use the spin of electrons as well as their charge, promise to be faster and less power-consuming than traditional charge-based electronic ones. A pure spin current — a flow that is not accompanied by charge current — seems to be a promising way to write information for such devices. However, although ‘spin injectors’ capable of creating such currents have been developed, their efficiency has generally remained too low for practical applications. Now, Kimura, Hamaya and colleagues have significantly improved this efficiency by using a highly ordered cobalt-iron-silicon ‘Heusler’ compound with high spin polarization. These findings highlight the potential of Heusler compounds as spin injectors, and move the construction of functional spintronic devices one step forward.
