星形ポリ[(4-ジフェニルアミノ)ベンジルメタクリレート]ゲートエレクトレットを用いたマルチレベル不揮発性トランジスターメモリー
Multilevel nonvolatile transistor memories using a star-shaped poly((4-diphenylamino)benzyl methacrylate) gate electret
2013年2月1日 NPG Asia Materials 5, e2 (2013) doi:10.1038/am.2012.64
エレクトロニクス：マルチレベルのメモリー
不揮発性トランジスターメモリーは、マイクロチップにおけるトランジスターの機能性と、電源をオフにしても情報を保存できる記憶素子とを組み合わせたものであり、そのため、こうしたメモリーは次世代コンピューターの構築に非常に有望である。このたび、国立台湾大学のWen-Chang Chenは、国立中央大学（台湾）および北海道大学との共同研究により、有機マルチレベル不揮発性トランジスターメモリーを開発した。このデバイスのトランジスター素子は、ポリマーとポリマーエレクトレット（準永久電荷を持つ誘電体材料）から構成されている。このシステムでは、外部印加電圧とエレクトレットに蓄えられた電荷の組み合わせによって電流が発生するため、これらを変化させることによって全体の電流を制御することができる。こうしたポリマーメモリーデバイスは、フレキシブル電子機器への応用の可能性という意味で特に興味深い。
Electronics: Better on multiple levels
Nonvolatile transistor memories combine the functionality of transistors in microchips with memory elements that are able to store information even if the power is turned off. As such they have great promise for the construction of next-generation computers. Wen-Chang Chen from National Taiwan University and colleagues from National Central University in Taiwan and Hokkaido University in Japan have now developed an organic multilevel nonvolatile transistor memory. The transistor element of the device is constructed from a polymer and a polymer electret - a dielectric material that has a quasi permanent electric charge. In this system current is generated by a combination of an applied external voltage and the charge stored in the electret - variation of which controls the overall current. Such polymer memory devices are of particular interest for potential applications in flexible electronics.
