低閾値連続波シリコンラマンレーザー

我々は、リング・レゾネーター・キャビティ構成を利用した低閾値連続波（c.w.）シリコンラマンレーザーの初の実証結果について報告する。25 Vの逆バイアスをp-i-nシリコン導波路に印加し、発振閾値20 mW、スロープ効率28%、出力50 mWを実現した。これは、以前の結果と比較すると、発振閾値は約10倍向上し、スロープ効率と出力は5倍以上向上したことを示している。さらに我々は、ゼロバイアス電圧でのc.w.発振を初めて実証した。この配置では、レーザーは外部電力供給を必要とせず、26 mWの発振閾値および10 mWを超えるレーザー出力を得た。低閾値発振および外部バイアスなしでの発振の実現は、通信や相互接続から光センシングや生物医学にまで及ぶさまざまな応用を目的とした、誘導ラマン散乱に基づく実用的シリコンレーザーの実現へ向けての大きな進展である。