CuMnAs薄膜反強磁性体におけるネールベクトルの光学的決定

反強磁性体の電気的な検出や操作における最近の飛躍的進歩によって、不揮発性スピントロニクスデバイスの研究に新たな道が開かれた。反強磁性体の反平行スピン副格子は、ゼロ双極子場を生成し、磁場摂動に対して敏感でないことやマルチレベルの安定性、超高速スピンダイナミクスなどの好ましい特徴をもたらすため、磁気メモリーから光信号処理までさまざまな分野で有用性が見いだされる可能性がある。しかし、正味の磁気モーメントが存在せず、磁化ダイナミクスの時間スケールが非常に短いので、一般的な磁力計や磁気共鳴法を用いて反強磁性体を調べるのは困難であることがよく知られている。今回我々は、CuMnAs反強磁性体薄膜におけるネールベクトルを実験的に決定したことを示す。CuMnAsは、反強磁性体メモリーチップが初めて実現されたときに用いられた重要な物質である。我々は、中性子回折法やX線磁気二色性測定法などの従来用いられている大型設備技術よりもかなり便利な、卓上型フェムト秒ポンプ・プローブ磁気光学実験法を用いている。