ハイブリッドなインジウムリン・オン・シリコンナノレーザーダイオード

強く待ち望まれているマイクロエレクトロニクスとフォトニクスの融合は、オンチップでのデータ通信とデータ処理に大きな変化をもたらす可能性がある。開発すべきあらゆるオプトエレクトロニクスデバイスの中で、シリコンフォトニクスやシリコンエレクトロニクスと高密度に集積できる、電力効率の高いナノレーザーダイオードは、電気的データを光領域に変換するのに不可欠である。今回我々は、シリコン導波路回路にヘテロ集積されたInPナノリブの中に作られた一次元フォトニック結晶ナノ共振器に基づく、超小型レーザーダイオードを実証したことを報告する。このナノリブの独特な設計によって、ナノキャビティの光特性を損なうことなく、ナノ共振器へのキャリアーの効率の高い電気的注入が可能になる。室温での連続波単一モード動作が、100 μAという低い電流しきい値で得られた。また、シリコン導波路内における1.56 μmでのレーザー発光が、10％を超える電力変換効率で得られた。今回の結果は、オンチップでの相互接続や信号処理のための、サブミリメートルスケールの光ネットワーク構築への活気に満ちた道を開くものである。