グラフェンと相補型金属酸化膜半導体の集積に基づく広帯域撮像センサーアレイ

相補型金属酸化膜半導体（CMOS）に基づく集積回路は、この40年間の技術革新の中心にあり、小型で安価なマイクロエレクトロニクス回路と撮像システムを可能にした。しかし、超小型回路と可視光カメラ以外の多様な用途にこのプラットフォームを応用することは、シリコン以外の半導体とCMOSの集積が難しいために進まなかった。今回我々は、CMOS集積回路とグラフェンをモノリシック集積し、高移動度フォトトランジスターとして動作させたことを報告する。我々は、高解像度で広帯域の撮像センサーを実証し、紫外光、可視光、赤外光（300～2000 nm）に感度があるデジタルカメラとして動作させた。今回実証されたグラフェンとCMOSの集積化は、次世代のマイクロエレクトロニクス、センサーアレイ、低電力集積フォトニクス、可視、赤外、テラヘルツ周波数をカバーするCMOS撮像システムに、二次元材料を組み込むのに重要である。