拡張現実メガネ向けのInGaNマイクロ発光ダイオードディスプレイの電気駆動ミッドサブマイクロメートル・ピクセル化

効率と輝度の高いInGaN系青色発光ダイオード（LED）が、ディスプレイ業界に進出しつつある。しかし、高効率光源の期待とその実験的実現による拡張現実向け超高密度ディスプレイ用微小ピクセルの形成の間に大きなギャップがまだ残っている。今回我々は、テーラード・イオンインプランテーション（TIIP）を用いて、8500ピクセル・パー・インチ（ppi）（RGB）に相当するミッドサブマイクロメートルスケール（ライン/スペースが0.5/0.5 μm）の高効率・電気駆動ピクセル化InGaNマイクロLED（μLED）を作製したことを報告する。TIIPピクセル化によって、各ピクセルの周囲に制御された量の可動空孔がある横方向に閉じ込められた非放射領域が形成されるので、サブマイクロメートルサイズのピクセルにおいて比較的一様の輝度と高いピクセル鮮鋭度が得られる。さらに我々は、平面形状に起因するTIIPピクセル化の比類のない集積能力を利用して、薄膜トランジスターピクセル回路をモノリシックに集積した2000 ppi μLEDディスプレイと、5000 ppiに適合するコア技術を実証する。我々は、今回実証した方法が、シームレスな拡張現実メガネ用の高性能μLEDディスプレイへの道を開くと予想する。