動的ひずみ下における時間空間的に制御された室温励起子輸送

二次元遷移金属ジカルコゲニドは、励起子結合エネルギーが大きく、機械的刺激に対してバンドギャップが非常に敏感なので、室温でのひずみ依存性励起子輸送の研究に魅力的なプラットフォームをもたらす。今回我々は、レイリー型表面弾性波を用いて、室温において弱結合領域の下で制御された方向性励起子輸送を実証する。我々は、光生成キャリアを用いて面内圧電場を遮蔽し、タイプIバンドギャップ変調の下で輸送を調べ、600 m s^–1という最大励起子ドリフト速度を測定で得た。さらに我々は、入力RF励起と励起子光生成の相対位相を制御することによって、励起子フラックスの正確な方向操作を実証する。今回の結果から、二次元半導体系における動的ひずみ波と室温励起子の弱結合領域に関する重要な知見が得られるとともに、データ通信やデータ処理からセンシングやエネルギー変換まで、さまざまな励起子デバイスのエキサイティングな応用への道が開かれる。