超高解像度量子ドット発光ダイオード

ピクセル数増加の要望がますます高まっており、次世代ディスプレイには、色域だけでなく解像度に関する難しい要求がある。今回我々は、このニーズを満たすために、転写印刷とラングミュア–ブロジェット膜技術を組み合わせることによって、9072～2万5400ピクセル/インチという超高ピクセル解像度の量子ドット発光ダイオード（QLED）を実現した。デバイスのリーク電流を減らすために、非発光性電荷バリア層としてハニカムパターンのワイドギャップ量子ドット層が発光性量子ドットピクセル間に埋め込まれている。我々は、赤色QLEDと緑色QLEDを実証している。注目すべきことは、赤色QLEDデバイスが、印加電圧8 Vにおいて最高で26万2400 cd m⁻²の輝度と14.72％のピーク外部量子効率を達成していることである。今回の研究結果から、高性能の超高解像度QLEDデバイスを実現する有望な手段が得られる。