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集積型デバイスによる近接場テラヘルツイメージング

Nature Photonics 2, 10 doi: 10.1038/JnphotonInThisIssue68945

オンチップ小型集積プローブ結合検出器が実証されたおかげで、テラヘルツ域の近接場イメージングの簡便化、高感度化、高分解能化が可能になるようである。理化学研究所および科学技術振興機構（埼玉県）の河野行雄らによって報告された極低温に冷却されたデバイスは、近接場平面プローブ（2つの先端部が向かい合う形状の厚さ100 nmの金膜）とGaAs/AlGaAsチップ上に作製された直径8 μmのアパーチャーから構成されている。チップ表面から60 nm真下に配置された2次元電子ガスは、抵抗変化を利用したテラヘルツ検出器として働く。今回の技術は、一体型なので、分離した別個の素子を必要とせず、そのような素子を結合するために損失が高く調整が難しい光学素子（テラヘルツレンズや導波路）を使う必要もない。
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