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342 nm紫外AlGaN多重量子井戸レーザーダイオード

2008年9月1日 Nature Photonics 2, 9 doi: 10.1038/nphoton.2008.135

<p>短波長紫外光を発する半導体レーザーダイオードや発光ダイオードの実現は、化学/生化学分析、高密度データ記憶、材料加工など多くの用途向けに非常に興味深い。Ⅲ族窒化物材料は、そのようなデバイスを作製するための最も有望な候補の1つである。今回我々は、これまで電気駆動型レーザーダイオードについて報告されたなかで最も短い波長である342 nmの光を発するAlGaN多重量子井戸レーザーダイオードについて報告する。このレーザーを作製するために、ヘテロ・ファセット制御選択横方向成長（hetero-FACELO）法を用いて低転位密度AlGaN層（AlNモル分率0.3）をサファイア基板上に成長させた。次に、この高品質AlGaN層上にAlGaN多重量子井戸構造を成長させた。パルス電流モードで波長342.3 nmのレーザー発振が室温で観測された。　</p>

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