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オンチップ光インターコネクト向けCMOS互換多波長発振器

2010年1月1日 Nature Photonics 4, 1 doi: 10.1038/nphoton.2009.259

<p>シリコンフォトニクスによって、マイクロエレクトロニクスの未来に不可欠なオンチップ超高帯域幅光ネットワークの作製が可能になる。波長分割多重ネットワークの実現に必要ないくつかの光素子が、シリコンで実証されている。しかし、そのようなネットワークを駆動できる完全集積型多波長光源はまだ実現されていない。レーザー発振に必要な要素である光増幅は、誘導ラマン散乱、パラメトリック混合、シリコンナノ結晶やナノパターニングされたシリコンによってオンチップで実現された。しかし、これらの構造体のほとんどにおいて損失によって発振が妨げられていた。ラマン発振器が実証されたものの、利得帯域幅が狭く波長分割多重方式には不十分であった。今回我々は、シリコン上の窒化シリコンリング共振器によって形成された光パラメトリック発振器を作製することによって、初のモノリシックに集積されたCMOS互換光源を実証する。このデバイスは、50 mW未満の動作電力で新たな波長を100以上発生させることができる。この光源は、超小型電子チップ上の高帯域幅光ネットワークの重要要素となりうる。</p>

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