ペタヘルツ光オシロスコープ

十分に速いゲートがあれば、電磁パルスの時間に依存する場を測定できる。テラヘルツ放射の場合、テラヘルツ放射の存在下での、半導体への自由キャリアのフェムト秒光注入がゲートとなりうる。可視光や赤外光の場合、これに直接的に類似しているのは、光場の存在下での気体標的のアト秒光イオン化である。今回我々は、アト秒パルスが生成されている媒質中での非線形光混合も、光パルスの時間に依存する場の測定に利用できることを示す。この場合のゲートは、イオン化と再結合の間のサブサイクルの時間間隔において、再衝突電子によって蓄積された位相である。我々は、最大1 PHzの帯域幅を持つ全光システムを使って、未知のパルスの瞬間的な場がアト秒極端紫外パルスの偏向に刻み込まれることを示す。