フォトニック結晶チップにおける波長アドレス可能な全光メモリーの大規模集積

フォトニクス集積は、長い間追求されているが、エレクトロニクスと比較するとまだ未成熟である。ナノフォトニクスによってこの状況が変わると期待されているが、最近のナノフォトニックデバイスの成功にもかかわらず、これまで大規模集積は実証されていない。今回我々は、フォトニック結晶チップにおける光メモリーの大規模高密度集積について報告する。我々は、こうしたフォトニクス集積を実現するために、単純な共振器最適化ルールを用いて、波長アドレス可能な直列集積方式を導入している。また、エレクトロニクスに勝る最も重要なフォトニクスの利点である波長分割多重化能力を十分活用し、極めて高い波長チャネル密度を実現している。これは、1つのチップにおける導波路結合型ナノフォトニクスデバイスの大規模フォトニクス集積の初の実証例であり、フィルター以外では初めての高密度波長分割多重化ナノフォトニクスデバイスでもある。今回の成果は、光ランダムアクセスメモリーや大規模波長分割多重化フォトニックネットワークオンチップに向けて道を開くものである。