Research Press Release
磁気抵抗メモリの性能改善
Nature Communications
2011年11月24日
磁気抵抗メモリ(MRAM)の新しい設計コンセプトが提唱された。これは、MRAMの利用と広範な商業化を妨げているボトルネックの克服に役立つ可能性がある。 MRAMは、「不揮発性」、つまり情報を電気的ではなく磁気的に符号化するメモリ技術であり、電源が切れても、記憶された情報が保持されるため、有望視されている。ところが、これまでに提案されたデバイスには、記憶密度が低く、消費電力が大きいという問題があった。今回、L-Q Chenたちは、こうした欠点を克服し、室温で高速に動作するMRAMデバイスの設計を明らかにした。
doi:10.1038/ncomms1564
「Nature 関連誌注目のハイライト」は、ネイチャー広報部門が報道関係者向けに作成したリリースを翻訳したものです。より正確かつ詳細な情報が必要な場合には、必ず原著論文をご覧ください。
注目のハイライト
-
考古学:遠い昔に存在していたナイル川のアフラマト支流沿いに建設されたエジプトのピラミッド群Communications Earth & Environment
-
工学:トカゲにヒントを得た建物系は全倒壊を免れるかもしれないNature
-
動物行動学:雄マウスの仔育てに影響を及ぼすかもしれない細胞Nature
-
進化学:バオバブの系譜をたどるNature
-
気候:2023年の夏は2000年に1度の暑さだったNature
-
健康:高齢者の暑熱曝露のリスクが大きくなるNature Communications