ナノスケール材料：2層二硫化モリブデンのエピタキシャル成長

二次元（2D）半導体、特に遷移金属ジカルコゲニド（TMD）は、シリコンを超えてムーアの法則を延命させる試みにおいて、大きな関心を集めている。多層TMDは、優れた静電制御と、単層よりも狭いバンドギャップおよび高い移動度を兼ね備えており、2Dトランジスターの性能を改善できると示唆されてきた。今回X Wangたちは、エッジ核生成機構に基づく、c面サファイア上での2層二硫化モリブデンの成長について報告している。作製された短チャネル電界効果トランジスターは、キャリア移動度の向上と高いオン状態電流を示した。

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