光物理学：サブマイクロメートルの波長で動作する全集積フォトニック回路

集積フォトニック回路へのシリコンの広範な使用によって、こうした光回路は半導体産業の高度な製造能力を利用できるようになるが、その動作は、シリコンの光学スペクトルに限定される。今回M Tranたちは、レーザー、光検出器、変調器、受動素子といった基本構成要素を全て含み、シリコンのバンドギャップより高いエネルギーのサブミクロン波長で動作する、フォトニック集積回路を報告している。これは、III–V族半導体材料と窒化ケイ素導波路の集積化によって実現された。

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