工学：MRAMデバイスのクロスバーアレイ

人工ニューロンや人工シナプスを用いてニューラルネットワークをアナログ実装することで、デジタル方式に代わる低電力技術が得られる可能性がある。インメモリーコンピューティングは、不揮発性メモリーデバイスのクロスバーアレイを用いて、アナログ方式で計算タスクを実行する。クロスバーを用いる計算は、物理的な行列乗算に対応する電流の総和を用いている。磁気抵抗ランダムアクセスメモリー（MRAM）は広く利用可能な技術だが、MRAMの抵抗が低く、エネルギー消費が大きくなると思われるという理由から、これまでクロスバーアレイには用いられていなかった。今回S Kimたちは、MRAMデバイスでできた、抵抗の総和を用いて乗算演算を行うアーキテクチャーのクロスバーアレイを開発した。このアーキテクチャーは、画像の分類や顔検出などの人工知能タスクに適している。

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