ナノスケールデバイス：ゲート長がサブナノメートルのMoS₂トランジスター

トランジスターの小型化と新規アーキテクチャーによって、ムーアの法則を延命させるような性能の向上が実現できる。二次元（2D）材料を用いた超微細化トランジスターは、そうした手法の1つである。しかし、ナノ加工技術の限界のため、ゲート長が1 nm以下の2Dトランジスターはこれまで開発されていなかった。今回T Renたちは、ゲート長が0.34 nmの2D MoS₂トランジスターを報告している。このデバイス構造は、グラフェンシートをゲート電極として埋め込んだ縦型チャネルで構成されており、このトランジスターは、比較的良好な電気特性を示すとともに、スイッチオフも可能である。

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