Nature ハイライト
電子デバイス：スケーリング限界を超えるInSe系トランジスター
Nature 616, 7957
シリコン系の電界効果トランジスター（FET）に関しては、ゲート長のスケーリング限界は12 nmと予測されている。今回L Pengたちは、二次元（2D）セレン化インジウム（InSe）でできた、チャネル長が10 nmの2D FETで、シリコン系FETを超える性能を達成したことを報告している。
2023年4月20日号の Nature ハイライト
物性物理学：二次元の重い電子系におけるの量子井戸状態
電子デバイス：スケーリング限界を超えるInSe系トランジスター
化学：疎水性ポケットを持つ触媒によるキャッチ・アンド・リリース
無機化学：ランタノイドとアメリシウムを分離する
化学工学：プラスチック廃棄物の熱分解の制御によるモノマーの生成
進化学：エイの巨大な胸鰭の起源
がん：EBVとゲノム不安定性の関連
神経科学：扁桃体が報酬学習を進める仕組み
化学生物学：クロマチンインタラクトームの変化を追跡する新手法
生化学：タンパク質とペプチド間の配列特異的な結合を計算で設計する
構造生物学：赤痢菌がガスダーミンを無力化する仕組み
構造生物学：GSDMBが形成するポアの構造とポア形成活性の調節機構
