Nature ハイライト

電子デバイス：スケーリング限界を超えるInSe系トランジスター

Nature 616, 7957

シリコン系の電界効果トランジスター（FET）に関しては、ゲート長のスケーリング限界は12 nmと予測されている。今回L Pengたちは、二次元（2D）セレン化インジウム（InSe）でできた、チャネル長が10 nmの2D FETで、シリコン系FETを超える性能を達成したことを報告している。

2023年4月20日号の Nature ハイライト

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