Nature ハイライト

工学：グラフェントランジスタ

Nature 467, 7313

グラフェンは、キャリア移動度が高いため、高速エレクトロニクス用として高い関心が寄せられている。しかし、従来のデバイス作製法では、グラフェンを構成する原子レベルの薄さの炭素シートに、デバイス性能が著しく損なわれるほどの大幅な欠陥が生じる。Liaoたちは、そのような劣化を回避する新しい作製方法について報告している。この方法では、金属コアと絶縁体シェルからなるナノワイヤーをグラフェン上にゲート電極として配置した後、「ソース」電極と「ドレイン」電極を自己整合プロセスでグラフェン上に蒸着する。自己整合プロセスは、グラフェン格子に目立った損傷を与えないため、高いキャリア移動度が維持される。この独特なデバイス配置によって、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極のエッジの位置を正確に決めることができ、スピードの点で最も優れた同等サイズの既存デバイスに匹敵するトランジスタ性能が実現できる。

2010年9月16日号の Nature ハイライト

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