マイクロエレクトロニクス素子をさらに小型化する方法が見出されたようだ。今週号に掲載された研究は代替絶縁材料とシリコンとの界面について考案を与えるものだ。マイクロエレクトロニクス用トランジスタが小型化するにつれ、トランジスタ中の導電性領域を仕切る絶縁層も薄くなる。その結果、電子が容易に逃げ出てしまうようになる。しかし、その問題を回避する方法をP E Blochlたちが見出したらしい。彼らは、従来の二酸化シリコンの代わりにチタン酸ストロンチウム絶縁体を使用するよう提案している。成長条件を制御することによって目的に合った界面特性を得ることができるようだ。これにより、マイクロエレクトロニクス用としての性能が向上するだろう。