ナノスケール材料：複数のシナプスを模倣するメモトランジスター

メモリスターは、抵抗が電流や電圧の履歴に依存してメモリー効果を示す二端子デバイスである。このメモリー効果によって、こうしたデバイスは神経シナプスの挙動を模倣できるようになるため、脳に着想を得た神経形態学的コンピューティング・アーキテクチャーを構築する上で大変興味深い。ニューロンの基本的な機能は二端子デバイスで実証されているが、ヘテロシナプス可塑性などのより複雑な機能には多端子デバイスがおそらく必要になる。今回M Hersamたちは、メモリスターの抵抗スイッチング挙動とトランジスターのゲート制御性を組み合わせて、メモトランジスターと名付けた多端子デバイスを作製した。二硫化モリブデンの二次元層に基づくこうしたメモトランジスターは、従来のニューラル学習挙動を示すだけでなくヘテロシナプス機能も示すため、複数のシナプスを持つ生体ニューロンを模倣するプラットフォームとなる。

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