材料科学：ひずませて安定化させる

ハイブリッドペロブスカイトは、さまざまな光電子デバイスに用いられる材料群である。しかし、光電子特性が最も優れたペロブスカイト材料のいくつかは、温度、湿度、光に対して最も不安定でもある。今回S Xuたちは、α-FAPbI₃膜の格子不整合基板として混合カチオンハイブリッドペロブスカイトを成長させることによって、α-FAPbI₃膜内のひずみ勾配を調整可能にする方法を報告している。化学的なヘテロエピタキシャル薄膜成長法によって、準安定α-FAPbI₃相を安定化させると同時に、最大2.4％のひずみを印加することが可能になった。全く安定化させなかった場合、この相は相転移に対して1日しか安定でないのに対して、ひずみを印加した系の場合、数百日間にわたって安定であることも示された。

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