ナノスケール材料：バックリング構造を持つグラフェンの強い電子相関

ねじれ2層グラフェンに形成されたモアレ格子で最近実証されたように、炭素材料の相関電子相には超伝導が含まれる。しかし、デバイスの作製が困難で、ねじれ角の正確な制御が難しいため、炭素材料での相関物理の研究には限界がある。今回E Andreiたちは、原子レベルで平坦な基板上に堆積させた単層グラフェンに、熱的にバックリング（座屈）転移を誘起させることにより、代替プラットフォームを提示している。バックリングによって生成された周期的にひずんだ超格子から、周期的な擬似磁場が生じ、これによってグラフェンに相関フラット電子バンドが形成される。今回の知見は、周期的なバックリング構造を持つグラフェンを用いて、炭素系材料のフラットバンドや相関状態を制御できることを示している。

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