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Nature ハイライト

工学：シリコンのナノスケールひずみ測定

Nature 453, 7198

シリコン半導体をひずませると、シリコンを通る電荷キャリアの動きを高められる。したがって、現在、最新の高性能シリコンデバイスにひずみが人工的に導入されていることは特別不思議なことではない。しかし、そのようなデバイスに生じた複雑なひずみ分布を測定し解明できる、使い道の広い方法は、これまで存在しなかった。CEMESの研究グループは、モアレ干渉法と電子線ホログラフィーという2つの広く使われている技術を取り入れた新しい方法を開発し、ナノスケールでのひずみを測定した。この新しい方法によって、広い視野での高い空間分解能と精度が実現され、既存の方法のほとんどの弱点が克服された。

2008年6月19日号の Nature ハイライト

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