ナノスケール材料：二次元半導体とのファンデルワールス接触

トランジスターの基本構成要素は、半導体チャネルと、電子流を制御するゲートである。同様に重要なのが、電子を供給し検出する金属電極であるが、チャネルのサイズが小さくなるにつれて、半導体と金属の界面がデバイスの性能を左右するようになる。遷移金属ジカルコゲニドのような二次元材料を半導体としてデバイスに用いる際の問題の1つは、金属と接触させたときの接触抵抗が通常は高過ぎることである。今回M Chhowallaたちは、単層二硫化モリブデンが、金で被覆した金属インジウムとの間にファンデルワールス型結合界面を形成でき、これによって接触抵抗が低くなることを実証している。今回の方法を用いれば、単層半導体を採用する道筋が得られる可能性がある。

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