Nature ハイライト
材料科学：半導体と超伝導体をうまく組み合わせる
Nature 555, 7695
ある半導体結晶の上への別の半導体結晶の完全なエピタキシャル成長は、高性能電子デバイスやオプトエレクトロニクスデバイスの多くの基本的特徴である。今回R Yanたちは、III族窒化物半導体と金属窒化物超伝導体NbNxの間で同じようなレベルのエピタキシャル集積を実現できることを実証している。高秩序で高品質の半導体の構造体を超伝導体結晶上に直接成長させられることから、半導体系と超伝導体系の2つの特性を兼ね備えた多くの新デバイスの可能性を探る手段が得られる。
2018年3月8日号の Nature ハイライト
材料科学：半導体と超伝導体をうまく組み合わせる
遺伝学：ゲノム解析から得られたビーカー文化の手掛かり
神経科学：渇きを知る
ナノスケール材料：分子と2D結晶の積層
地球科学：岩石の再循環を明らかにしたダイヤモンド内部の物質
人間行動学：協力の複雑さ
進化学：鳥類の種の豊富さで見る、山岳地帯の生物多様性
分子生物学：ガのpiRNA生合成経路はハエよりも単純
構造生物学：ドーパミンの珍しい結合様式
