材料科学：半導体の明るい未来

ハロゲン化鉛ペロブスカイト半導体ナノ結晶は、光物理的特性が優れているため、太陽電池や発光ダイオード用の材料としてかなりの関心を集めている。しかし、この半導体ナノ結晶が特別なのはどうしてだろうか。励起子は、ナノ構造半導体の発光特性に根本的に関与する電子励起状態であり、最低エネルギー励起子状態は寿命が長いため発光しにくい（すなわち「ダーク」である）と一般的に考えられている。今回M Beckerたちは、ハロゲン化セシウム鉛ペロブスカイトがこの考えに反すること、つまり最低エネルギー励起子がダークではなく異常に「ブライト」であり、他の半導体ナノ結晶よりもかなり速く光子を放出することを示している。さらに、この異常な振る舞いの原因となる構造的要因と電子的要因が特定され、同様の振る舞いをする可能性のある他の半導体材料を特定する重要な手掛かりが得られた。

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